El lanzamiento de los Galaxy S7 y Galaxy S7 Edge fue todo un éxito ya que Samsung trajo de vuelta un par de características que muchos usuarios extrañaban: la resistencia al agua y el soporte para tarjetas microSD. Sin embargo, esta última característica tal vez no la volvamos a ver en futuros dispositivos.
Hoy, Samsung Electronics ha anunciado el primer chip de almacenamiento para smartphones con capacidad de 256 GB bajo el estándar Universal Flash Storage 2.0 (UFS 2.0) para la próxima generación de dispositivos de gama premium. Samsung incluso menciona que las velocidades de transferencia de este chip superan a las logradas por unidades de estado sólido.
Para ser exactos, este nuevo chip logra velocidades de transferencia de datos de hasta 850 Mb/s para lectura, cerca del doble de lo logrado por SSDs, y 260 Mb/s para escritura, aproximadamente tres veces más rápido que las tarjetas microSDs de alta gama. En cuanto al almacenamiento, paradójicamente, es poco lo que podemos decir. Por poner un ejemplo, Samsung señala que su nuevo chip podría almacenar hasta 47 películas en calidad Full HD.
Samsung ha comenzado con la producción en masa de este componente, así que posiblemente lo veremos en los terminales insignia del próximo año, o quizás del próximo semestre. ¿Veremos una Galaxy Note 6 con 6 GB de RAM y 256 GB de almacenamiento interno?
Más información | Samsung Newsroom
